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Samsung 850 EVO MZ-75 E500 - Solid-State-Disk - 500GB

Herstellernummer: MZ-75E500B/EU
Artikelnummer: IT1.006.916.353
EAN-Code: 8806086523035
Begrenzt verfügbar
173,90 €*
Beschreibung

Was ist 3D V-NAND und wie unterscheidet es sich von der bisherigen Speichertechnologie? Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung überwindet die bei planarer ...

Hersteller: Samsung

Kategorie: Startseite » Zubehoer » Komponenten » Festplatten-SSDs » Samsung 850 EVO MZ-75 E500 - Solid-State-Disk - 500GB



Die folgende Beschreibung bezieht sich ggf. auf die Produktserie dieses Artikels. Die Ausstattung des/der hier angebotenen »Samsung 850 EVO MZ-75 E500 - Solid-State-Disk - 500GB« ist in den »technischen Daten« auf dieser Seite hinterlegt.

Was ist 3D V-NAND und wie unterscheidet es sich von der bisherigen Speichertechnologie?
Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung überwindet die bei planarer NAND-Architektur vorhandenen Grenzen hinsichtlich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitigen Einsparungen bei der genutzten Fläche ermöglicht.

Optimieren Sie mit der 850 EVO die tägliche Arbeit am Computer mit der unerreichten Lese- und Schreibgeschwindigkeit der TurboWrite-Technologie.
Erleben Sie täglich ein Maximum an Lese- und Schreibleistung mit Samsungs TurboWrite-Technologie. Neben einer um mehr als 10 % höheren Gesamtleistung gegenüber der 840 EVO* sind zufällige Schreibzugriffe bei den Modellen mit 120 und 250 GB** 1,9 Mal so schnell. Die 850 EVO bietet im Vergleich zu ähnlichen Produkten von Mitbewerbern eine überlegene Leistung beim Lesen (540 MB/s) und Schreiben (520 MB/s). Darüber hinaus erhalten Sie eine für Client-PCs optimierte Leistung bei zufälligen Zugriffen über alle Kommandotiefen (Queue Depth) hinweg.
*PCmark7 (250 GB): 6.700 (840 EVO) > 7.600 (850 EVO).
**Direktes Schreiben (QD32, 120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) > 88.000 IOPS (850 EVO).

Gehen Sie mit dem verbesserten RAPID-Modus auf die Überholspur.
Verbessern Sie mit der Samsung Magician Software jederzeit die Leistung. Sie bietet den RAPID-Modus, die den Arbeitsspeicher (DRAM) des PCs als zusätzlichen Zwischenspeicher verwendet und so die Transferraten nochmals erheblich steigert. Mit der neuen Samsung Magician Software steigt die mögliche Arbeitsspeichernutzung im RAPID-Modus von 1 GB in der vorigen Version auf bis zu 4 GB, wenn im Computer 16 GB DRAM zur Verfügung stehen. Darüber hinaus erhalten Sie eine verdoppelte Leistung* bei zufälligen Zugriffen über alle Kommandotiefen hinweg.
*PCMARK7 RAW (250 GB): 7.500 > 15.000 (Rapid Mode).

Arbeiten Sie länger - Dank der erhöhten Energieeffizienz durch 3D V-NAND.
Die 850 EVO erzielt auf Notebooks längere Akkulaufzeiten dank des für 3D V-NAND optimierten SSD-Controllers, der Device Sleep (DEVSLP) unterstützt. Hierbei benötigt die SSD 850 EVO nur 2 mW an Leistung. Die 850 EVO spart außerdem bei Schreibzugriffen* etwa 25 % Energie im Vergleich zur 840 EVO, da 3D V-NAND nur etwa halb so viel Energie wie planares 2D NAND benötigt.
*Energie (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO).

Sämtliche Angaben in dieser Beschreibung schränken ihre gesetzlichen Gewährleistungsrechte uns gegenüber nicht ein.

Technische Daten

Allgemein

Hersteller:

Samsung

Herstellerartikelnummer:

MZ-75E500B/EU

EAN-Code:

8806086523035

Design

SSD-Formfaktor

2.5"

Produktfarbe

Black

Energie

Energieverbrauch (lesen)

0.1 W

Energieverbrauch (schreiben)

0.1 W

Energieverbrauch (idle)

0.045 W

Gewicht & Abmessungen

Breite

69.85 mm

Tiefe

100 mm

Höhe

6.8 mm

Leistung

SSD Speicherkapazität

500 GB

SolidStateDrive (SSD) Schnittstelle

Serial ATA III

Lesegeschwindigkeit

540 MB/s

Schreibgeschwindigkeit

520 MB/s

Datenübertragungsrate

6 Gbit/s

Laufwerk, Puffergröße

512 MB

Zufälliges Lesen (4KB)

98000 IOPS

Zufälliges Schreiben (4KB)

90000 IOPS

Unterstützte Sicherheitsalgorithmen

256-bit AES

S.M.A.R.T. Unterstützung

Feature vorhanden

TRIM-Unterstützung

Feature vorhanden

Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF)

1500000 h

Software

Unterstützte Windows-Betriebssysteme

Feature vorhanden

Technische Details

Temperaturbereich in Betrieb

0 - 70 °C

Temperaturbereich bei Lagerung

40 - 85 °C

Luftfeuchtigkeit (außer Betrieb)

5 - 95 %

Stoßfest (außer Betrieb)

1500 G

Vibrationen außer Betrieb

20 G

Weitere Spezifikationen

Eingebaut

Feature vorhanden

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